2019年9月2日，中國武漢，紫光集團旗下長(cháng)江存儲科技有限責任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)江存儲”）在IC China 2019前夕宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲等主流市場(chǎng)應用需求。作為中國首款64層3DNAND閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團展臺。
長(cháng)江存儲64層3D NAND閃存晶圓
長(cháng)江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構設計并實(shí)現量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲密度。Xtacking?可實(shí)現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng )新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking?可帶來(lái)更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
作為集成器件制造商(IDM -Integrated Device Manufacturer)，長(cháng)江存儲致力于為全球客戶(hù)提供完整的存儲解決方案及服務(wù)，并計劃推出集成64層3DNAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)、UFS等產(chǎn)品，以滿(mǎn)足數據中心，以及企業(yè)級服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設備制造商的需求。
長(cháng)江存儲一貫重視核心技術(shù)的自主研發(fā)和創(chuàng )新，Xtacking?技術(shù)的研發(fā)成功和64層3DNAND閃存的批量生產(chǎn)標志著(zhù)長(cháng)江存儲已成功走出了一條高端芯片設計制造的創(chuàng )新之路。
今后，長(cháng)江存儲仍將持續投入研發(fā)資源，以通過(guò)技術(shù)和產(chǎn)品的迭代，使每一代產(chǎn)品都具備強勁的市場(chǎng)競爭力，更好地滿(mǎn)足全球客戶(hù)的需求。
長(cháng)江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛華表示：“通過(guò)將Xtacking?架構引入批量生產(chǎn)，能夠顯著(zhù)提升產(chǎn)品性能，縮短開(kāi)發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動(dòng)高速大容量存儲解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展?！背绦l華還提到，“隨著(zhù)5G，人工智能和超大規模數據中心時(shí)代的到來(lái)，閃存市場(chǎng)的需求將持續增長(cháng)。長(cháng)江存儲64層3DNAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲器市場(chǎng)健康發(fā)展注入新動(dòng)力?！?/p>
長(cháng)江存儲核心廠(chǎng)區近況
