第八屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)今天在深圳會(huì)展中心召開。長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上亮相展出。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)展示的業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存X2-6070，獲得了本屆博覽會(huì)頒發(fā)的“中國(guó)電子信息博覽會(huì)金獎(jiǎng)”。
本屆博覽會(huì)以“創(chuàng)新共享，開放合作”為主題，舉辦展覽、論壇等多項(xiàng)活動(dòng)，全力推動(dòng)展商及觀眾的溝通合作，帶動(dòng)內(nèi)循環(huán)，打造未來(lái)發(fā)展新優(yōu)勢(shì)。
今年4月13日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布最新128層QLC 3D NAND閃存在武漢光谷研發(fā)成功，這是全球首款128層QLC閃存。
目前，該閃存已通過(guò)多家知名控制器企業(yè)在固態(tài)硬盤等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上的驗(yàn)證。
3D NAND即三維閃存技術(shù)。過(guò)去，人們用到的存儲(chǔ)芯片是平面的，相當(dāng)于地面停車場(chǎng)，而三維閃存芯片是立體的，就像是立體停車場(chǎng)。同樣的“占地面積”之下，立體芯片能夠容納更多倍數(shù)據(jù)量。
盡管這顆存儲(chǔ)芯片不到芝麻大小，卻內(nèi)藏乾坤，擁有3665億個(gè)“細(xì)胞”——存儲(chǔ)單元。QLC是繼TLC后，三維閃存新的技術(shù)形態(tài)，具有大容量，高密度等特點(diǎn)，適合于讀密集型應(yīng)用。TLC的每個(gè)“存儲(chǔ)細(xì)胞”可存3bit數(shù)據(jù)，而QLC的每個(gè)“細(xì)胞”能存4bit數(shù)據(jù)。這些“存儲(chǔ)細(xì)胞”加起來(lái)，能讓一顆芯片的存儲(chǔ)容量達(dá)到驚人的1.33Tb，相當(dāng)于1362Gb。
得益于“存儲(chǔ)細(xì)胞”的不斷擴(kuò)容，以及這些“細(xì)胞”之間獨(dú)特的Xtacking架構(gòu)布局，此次先于業(yè)界發(fā)布的128層閃存芯片“X2-6070”，擁有業(yè)界最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。
2018年底，長(zhǎng)江存儲(chǔ)第一代32層三維閃存芯片量產(chǎn)。2019年9月，首次基于Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存芯片量產(chǎn)。隨著自主Xtacking架構(gòu)全面升級(jí)至2.0，進(jìn)一步釋放了三維閃存的潛能，128層QLC閃存芯片才得以快速突破。
今年以來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)消息不斷，自宣布成功研發(fā)128層閃存產(chǎn)品之后，表示預(yù)計(jì)將在三季度推出自有品牌的SSD，二期廠房建設(shè)項(xiàng)目也已經(jīng)開始動(dòng)工，規(guī)劃產(chǎn)能20萬(wàn)片/月。
來(lái)源：武漢廣播電視臺(tái)
